在压水堆一回路中,最主要的问题是高压高温以及放射性辐照下对系统造成的危害,腐蚀机理比较复杂,这些腐蚀包括应力腐蚀、缝隙腐蚀、晶间腐蚀等等,腐蚀会影响系统设备的寿命,到一定程度会直接损坏设备。包壳材料锆合金如若出现破损,有可能致使裂变产物泄露,对系统具有最大的危害。因此,研究一回路水化学对包壳材料锆合金的腐蚀影响,进行水环境的改良,对减轻包壳腐蚀,确保其完整性具有十分重要的意义。本项研究利用光电流测试技术、极化曲线、ms曲线法测试Zn离子对高温水中形成的锆合金表面氧化膜半导体性能的影响,利用光电流测试技术研究出当Zn离子进入空位后,替换了空穴中的阳离子,致使氧化膜成分结构发生变化,出现更深的掺杂能级,使电子跃迁更容易,相当于带隙变窄,极化曲线的测试可以测出,加入Zn离子使腐蚀电位负移,腐蚀电流的减小,也说明加入Zn离子耐蚀性增强,由Ms曲线法得出,Zn离子的加入使载流子浓度变小,也是耐蚀性增强的一个特征。