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本文主要采用拉曼散射(常温拉曼、变温拉曼、共振拉曼、偏振拉曼)对Gax Zn1-xO(简称GZO)晶体和陶瓷进行了研究,初步探究了Ga元素掺杂前后ZnO晶体和陶瓷晶格内部随Ga掺杂浓度的变化规律,确认了Ga元素的掺杂形式以及最佳掺杂组分。首先,利用X射线衍射对10种不同掺杂浓度的GZO晶体(0.0 wt%,0.2 wt%,0.4 wt%,0.5 wt%,0.6 wt%,0.7 wt%,0.8 wt%,0.9 wt%,1.1 wt%)的晶格结构进行了研究;其次,通过拉曼散射对不同浓度的GZO晶体进行对