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透明导电薄膜(TCO)具有低的电阻率、可见光范围高的透射率,由于其独特的电学和光学特性,在众多领域得到了广泛的应用。相对于ITO材料,Al掺杂ZnO(AZO薄膜)透明导电薄膜原料来源丰富、价格低廉、无毒,而且在氢等离子体气氛中比ITO薄膜稳定的优点,是理想的透明氧化物材料。本课题采用射频磁控溅射方法,以ZnO:Al2O3(2wt% Al2O3)为靶材在大尺寸衬底玻璃(300×300mm)上制备ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描溅射模式在不同工艺条件下制备ZnO:Al薄膜,分析衬底基片上薄