InP材料拥有着很突出的频率特性，良好的器件一致性以及击穿特性，适合应用于毫米波通信系统。论文对InP基DHBT（DHBT:Double HeterojunctionBipolar Transistors）器件的小信号模型及大信号模型进行了研究，并进行了微波电路的设计，验证了模型的准确性。主要内容如下：1)建立了InP HBT小信号模型。从基础入手，先介绍了HBT的工作原理及其器件特性，得出了HBT器件可以同时做到超高速和高增益的结论。其次建立了小信号模型拓扑，根据拓扑分多部进行了参数的提取，采用器件为StepperC07器件，发射极尺寸为0.6×7μm，选取偏置点为Vce=1.7V，ib=100μA，对其S参数进行了验证，得到了准确的小信号模型。2)建立了InP HBT大信号模型。从众多商业模型中选取了复合InP HBT特性的Agilent HBT模型进行提参建模，设计了一整套提参建模流程。参数提取首先在器件pad去嵌入的基础上对非本征电阻（Rb，Rc，Re）进行提取，其次对电流参数进行提取，耗尽电荷基于反偏S参数对结电容进行提取，通过截止频率ft得到延迟时间来提取扩散电荷。最终对S参数进行验证，得到准确的大信号模型。3)基于InP HBT模型设计了小信号电路。其目的在于验证本文所提取出的Stepper C07器件模型的小信号性能，说明了模型的准确性。找出了其匹配点并进行了匹配网络的设计，最终仿真并调试出其S参数，在10GHz时增益为15dB，S11小于-15dB，效果理想。