K-膨胀石墨层间化合物的合成及性能研究

来源 :中国地质大学 中国地质大学(武汉) | 被引量 : 0次 | 上传用户:pkpm1
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该文首次采用膨胀石墨为主体,用混合法在450℃,真空条件下合成了主阶为2阶的K-膨胀石星层间化合物,合成产物较为稳定.证明采用膨胀石墨为主体材料合成石墨层间化合物是行之有效的.该文通过合成实验以及对合成产物进行X衍射分析、扫描电镜观测、导电性测试等较为系统的研究,对合成产物的形貌、结构、稳定性(包括热稳定性和时间稳定性)、导电性进行了较为详尽的分析,并结合前人的理论,探讨了K-膨胀石墨层间化合物的合成机理及影响K-膨胀石墨层间化合物的稳定性和导电性的可能因素,认为在K-膨胀石墨层间化合物的合成过程中,除占主导地位的扩散机制以外,还存在化学键牵引机制,主要包括碳原子之间的分子键牵引和碳原子与钾之间的离子键牵引,且由于膨胀石墨的层间距增大,层间分子键力减小,结构层局部遭到破坏产生缺陷,导致扩散效应增强;膨胀石墨特有的蠕虫状结构是增加K-石墨层间化合物稳定性的主要因素,但同时其内部的大量孔隙和空洞又降低了它的导电性.
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