一维GaN微/纳米阵列的合成研究

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【摘要】

：

GaN材料基于其优异的特性,得到了全世界科研人员的广泛关注,使得其在发光器件、传感器、高温高频大功率器件、场发射等方面都获得了巨大的应用。而使用MOCVD来生长GaN微/纳米阵列,对于降低GaN基器件的成本和实现器件制造的规模化有着重大意义。本文中使用自组装MOCVD,探索一维GaN微/纳米结构的制备和其生长规律。通过各种表征手段对GaN微/纳米结构进行表征,确定其生长方向,研究不同生长因素对其形

【作者】

：

吕瑞

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2017年04期

【关键词】

：

GaN材料纳米结构晶体生长分子自组装

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