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随着自旋电子学发展,磁性传感器,磁记录读出磁头和非挥发性存储器因其广泛的应用前景受到极大的关注和研究,而铁磁/反铁磁双层膜的交换偏置起了重要作用。它不仅能提高了高密度磁记录读出头的灵敏度,使得磁记录存储密度得到了飞速的发展。另外,它还是目前广为关注的磁随机存储器(MRAM)的基本结构。所以在基础研究和应用两个方面都得到了广泛的重视。由于铁磁共振是研究磁性薄膜各向异性的一种有力手段,人们用其来研究铁磁/反铁磁双层膜中的单向磁各向异性和单轴各向异性。在铁磁共振实验中,发现双层膜存在各向同性的