PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及表征

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纳米材料是纳米科技发展的基础,由于具有的特殊光学、电学、磁学性能,纳米材料拓宽了传统材料、器件的发展空间。近来,随着网络用户得急剧增长,对光通信器件、网络性能,特别是对光纤放大器性能的提升提出了更高的要求。传统的掺铒光纤放大器中掺杂材料性能的突破出现了技术瓶颈,需要一种全新的掺杂材料来替换铒离子,因此,科研人员提出了一种全新的光纤放大器-量子点光纤放大器(QDFA)。PbSe纳米晶在制备量子点光纤放大器方面,有着十分重要的潜在应用价值。本文分别在油相和水相体系中制备了尺寸大小为16~36nm PbSe纳米晶,并对其晶体结构进行了表征。此外,塑料光纤在成本、光纤到户、短距离通信等方面与石英光纤相比具有优越性,在塑料光纤基底中掺入某些光放大介质(如量子点),可以制备出塑料光纤放大器。但是,目前对于量子点掺杂的塑料光纤材料的光学性能的研究还很少。本文报导了以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基底的CdSe量子点光纤材料CdSe/PMMA。紫外-可见-近红外吸收谱以及荧光辐射谱测量表明:文本制备的CdSe量子点的尺寸单分散性较好,CdSe/PMMA的发射峰比CdSe的发射峰宽,其半高全宽加宽了约10nm。在波长为473nm的激光持续照射下,CdSe/PMMA的荧光辐射强度不断增强,约12小时后发光强度趋稳,峰值强度增加约1倍,同时,荧光峰值波长出现蓝移,约25nm,没有回复现象。由于CdSe/PMMA具有强荧光辐射和宽光谱的特点,因此有可能是一种较为理想的宽光谱光纤基底材料。
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