本论文利用飞秒激光技术，对半导体及其微结构中的相干控制光电流进行了理论和实验上的研究工作。主要成果如下： (1)利用量子力学中常用的黄金定则方法和缀饰态波函数描述的方法推导了半导体中光电流和光生载流子布居的量子干涉控制效应。 (2)计算了动量带问跃迁矩阵元，得到了各种偏振光场下的载流子动量空间初始布居分布。绘制载流子动量空间的三维分布图，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特性。并讨论了基频光与倍频光的光强比对电流注入效率的影响，结果与实验相符。 (3)采用了一种新的具有三个频率的飞秒脉冲同位探测泵浦—探测技术，研究AlGaAs/GaAs量子阱中相干控制光电流的注入、控制和探测。在实验上测量了相干光电流随光脉冲间相位差的变化规律，实验结果与理论预测相符合。 (4)提出了一个自锁模钛宝石激光器泵浦聚焦系统的设计方案。