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本文主要研究了两种掺杂ZnO薄膜的制备方法,以及杂质掺入后对其晶体结构、电化学性质的影响。研究的内容包括如下两个部分：一、4种不同比率ZnO1-xSx薄膜的制备,及其结构、电化学性质的研究。我们采用脉冲激光沉积技术成功地制备了一系列不同掺杂比例的ZnO1-xSx薄膜。ZnO1-xSx并非是ZnO、ZnS两种晶粒的简单混合,而是一个独立的晶相。ZnO1-xSx(0.1
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