随着超大规模集成电路的发展，寻找能够替代目前使用的电容器件Si基材料是一项急待开展的研究课题。在64Mb动态随机存储器（DRAM）电容材料中，Ta₂O₅基材料是很有希望的替代品。因此近年来制备高质量Ta₂O₅基薄膜的研究开始引起人们的注意。 脉冲激光沉积（PLD）法自1987年出现以来，随着激光技术的进步而迅速发展，现已成为最好的薄膜制备技术之一。用脉冲激光沉积法制备的高介电常数Ta₂O₅基薄膜，在制造计算机高密度动态随机存储器方面有广阔的应用前景，可能大大的增加计算机内存容量。在论文中，主要研究了用248nm波长激光对（Ta₂O₅）_0.92（TiO₂）_0.08靶进行了脉冲激光沉积薄膜的实验研究。 在本论文中首先介绍了PLD实验设备的建立及其技术发展；其次是进行了（Ta₂O₅）_0.92（TiO₂）_0.08陶瓷靶材以及PLD的薄膜制备实验研究，在此过程中，测量了（Ta₂O₅）_0.92（TiO₂）_0.08介电薄膜的一些介电特性，并总结出最佳的淀积条件。最后一部分是PLD软件的设计，该软件可以用于PLD实验的简化，并且可以对实验参数进行确定，对实验数据进行记录、查询、修改等，它将有助于提高PLD实验的效率。