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应力和载流子调控单层TiSe2和TaSe2电荷密度波的理论研究

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【摘要】

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过渡金属二硫族化合物(TMDCs)1T-TiSe_2、1T-TaSe_2和2H-TaSe_2等材料具有丰富的电荷密度波(CDW)相变行为和超导性质。应力和载流子掺杂可以在不引入杂质、缺陷等基础上有效地调控材料的本征物理性质,已成为目前研究二维材料物性的重要手段。本论文基于第一性原理计算模拟了应力和载流子掺杂对这三种单层材料中CDW及超导的影响。具体内容包括在以下几个方面:实验研究表明低维化可以增强

【作者】

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【机构】

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中国科学技术大学

【发表日期】

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2018年05期

【关键词】

：

过渡金属二硫族化合物电荷密度波应力分析载流子第一性原理

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过渡金属二硫族化合物(TMDCs)1T-TiSe_2、1T-TaSe_2和2H-TaSe_2等材料具有丰富的电荷密度波(CDW)相变行为和超导性质。应力和载流子掺杂可以在不引入杂质、缺陷等基础上有效地调控材料的本征物理性质,已成为目前研究二维材料物性的重要手段。本论文基于第一性原理计算模拟了应力和载流子掺杂对这三种单层材料中CDW及超导的影响。具体内容包括在以下几个方面:实验研究表明低维化可以增强1T-TiSe_2的CDW序,使CDW转变温度由块体～200 K提升到单层的～230 K,成为当前单层T

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