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本论文工作主要围绕CdTe量子点的可控制备和发光性能研究开展。首先,对量子点进行简要概括分析,随后通过控制量子点的反应温度和反应时间来获得不同尺寸的CdTe量子点;接着针对存在的问题采用掺杂铕元素对CdTe量子点做进一步的改善;最后采用喷墨打印技术制备量子点发光层薄膜并应用于量子点发光器件的制备。本篇论文的研究工作结论主要包括如下:在研究反应温度和反应时间对量子点的影响实验中,实验结果表明了提高反应温度可以提高量子点前期的生长速度,其中制备绿色荧光量子点以温度小于等于170摄氏度为佳,制备橙色荧光量子点以温度大于等于200摄氏度为佳。当延长了量子点的反应时间,量子点荧光发射峰和荧光吸收峰会出现红移,其中量子点吸收峰的移动速率会比荧光发射峰的移动速率慢,从而导致斯托克斯位移会随时间逐渐变大。在对CdTe量子点进行了掺杂改性研究中,掺杂铕元素可以有效促进量子点的均相成长和量子点的生长速度从而迅速获得荧光波长为650纳米的CdTe量子点。在研究反应时间的影响因素中,量子点表面配体的随时间逐渐变多,量子点的红移速度逐渐下降,接着我们研究了铕掺杂比例对量子点的影响,在实验结果讨论中可以发现提高铕元素的掺杂浓度可以提高CdTe量子点的斯托克斯位移并使得量子点的红移更加的明显。最后,我们将量子点溶解在正辛烷里面并进行了喷墨打印量子点发光层。并制备了量子点发光器件,器件结构为Al/ZnO/QDs/PVK/TPD/PEDOT:PSS/ITO,除了量子点发光层采用喷墨打印,A1电极采用蒸镀,其他层采用了旋涂工艺制备薄膜。利用这种薄膜制备的量子点发光器件在电压为3V时启亮;电压为9V时,器件亮度达到最亮,亮度为1940cd/m2,此时电流效率为3.74cd/A。这对未来喷墨打印在大型器件制备中的应用有很大的意义。总之,本论文通过控制反应时间、反应温度获得黄绿两种荧光量子点,并通过掺杂铕元素改性获得深红色荧光量子点,最后通过喷墨打印的方式将量子点应用到量子点发光二极管中。由此可见本课题具有一定的创新价值和应用价值。