ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性；近年来受到广泛的关注和研究。Al掺杂ZnO薄膜不但具有较低的电阻率,而且由于Al的掺入使其具有更优异的光学、电学特性,尤其是作为透明导电薄膜(TCO),可以和目前广泛应用的锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜相比拟,因此被认为是最具开发潜力的第三代半导体材料。但高质量的ZnO及Al掺杂薄膜多数是由物理法制备出来的,而物理法昂贵的成本、复杂的工艺流程一定程度上阻碍了大规模生产。成本低廉、工艺流程简单、配比精确的制备方法成为众多科研人员的研究目标。本文利用常用于粉体制备的反胶束微乳液法,成功制备出晶粒尺寸均匀的不同Al掺杂量的纳米ZnO粉体,并在此基础上进一步结合提拉法和旋转涂膜法等制膜工艺尝试在普通玻璃衬底上制备不同Al掺杂量的纳米ZnO薄膜,并成功制备出具有c轴择优取向的Al掺杂纳米ZnO薄膜。通过对前驱溶液低温蒸干产物的差热-热重分析,结合对不同热处理温度下样品的红外光谱的研究,进一步改进了热处理工艺,提高产品的质量；通过XRD、紫外-可见光光谱分析,研究了不同前驱溶液的加入量和Al掺杂量对ZnO粉体和薄膜的晶体结构、取向生长和平均晶粒尺寸的影响。结果表明,随着Al掺杂量的提高,ZnO的相应衍射峰位向小角度方向移动,晶面间距变大,ZnO薄膜的紫外吸收边有蓝移的现象,并在Al掺杂量(Al3+/Zn2+摩尔比)为3%时达到紫外吸收边短波方向上的极小值,根据Burstein-Moss效应从理论上分析了Al掺杂量与ZnO样品载流子浓度变化的关系。