面向宽电压的DVFS控制器设计与实现

来源 :上海交通大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:inksong000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
动态电压频率调节(Dynamic Voltage and Frequency Scaling,DVFS)是一种在满足性能需求的前提下,通过动态调节电压和时钟频率来降低功耗的技术。当工作在更宽的电压范围下,DVFS技术会使芯片获得更高的能效。然而,在宽电压调节范围下,电路在不同工作点的设计裕量及工作点间切换的代价会更高。论文面向宽工作电压范围,设计了结合片内电源轨切换和片外DC-DC调压的混合DVFS调节策略,完成了DVFS控制器的设计,并基于RISC-V处理器完成了验证系统的开发。首先,研究了宽电压范围的双电源轨切换技术。在分析了处理器在VDD/2到VDD电压范围间的电源轨切换时的电压噪声变化的基础上,设计了基于可配置开关速度的电源门控电路和基于短脉冲检测的时钟门控电路来减小切换噪声,并完成了双轨切换调压电路的设计。仿真结果表明,所设计的双轨切换方法在VDD/2到VDD的宽电压范围下切换速度在80ns/V-120ns/V之间,较传统方法有了显著提升。其次,完成了DVFS控制器的设计。其中,基于时钟频率快速切换技术设计了调频电路,基于片外DC-DC调压芯片的控制方法设计了片外调压控制电路,基于两种调压方式的混合调节策略设计了功耗管理电路。DVFS控制器的仿真结果表明,一个32位加法器在混合调节方法下的能耗延时积(Energy-Delay Product,EDP)比单独片外DC-DC调节时降低了29.74%。最后,基于上述DVFS控制器,设计了它与RISC-V处理器的接口,并搭建了含DVFS控制器的RISC-V SOC系统。采用TSMC 28nm工艺,通过UPF(Unified Power Format)低功耗设计方法,完成了SOC的多电压域设计和物理实现。二维卷积测试程序表明,DVFS控制器的接口电路功能正确,SOC系统在程序控制下正确完成了电压频率的调节。
其他文献
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的影响,但同时也带来了更为复杂的制造工艺。集成电路不断往高密度的方向发展也使得芯片对缺陷的容忍度越来越低,缺陷问题成为良率损失的主要原因之一。本文针对笔者所在公司55纳米平台铜互连工艺的主要系统性缺陷问题进行了深入研究,提出了有效的改善方案。其中针对薄膜工艺造成的晶边剥落缺陷问
硅基集成电路彻底改变了现代人的生活,但随着技术的发展,集成电路集成度不断提升,目前金属导线互联逐渐无法满足信息高速率高密度传输的需求。光互联具有大带宽、低损耗、抗电磁干扰等优势,被认为是非常有潜力的解决方案。在这样的背景下,硅基光子器件受到人们的关注,而且由于硅基光子器件兼容现有的互补金属氧化物半导体工艺制造体系,拥有硅基集成电路制造业的各种优势,如高稳定性、成本低廉等,硅基光子器件已经成为目前学
中华人民共和国诞生于一九四九年十月一日,从那时起她便没有参加联合国的工作……所以,是联合国与和平事业因为中华人民共和国没有参加联合国的工作而受到了更大的损失。正是联合国将从通过恢复中华人民共和国的合法权利以立刻纠正这种状况中获得好处。—阿尔及利亚驻联合国代表拉哈勒,1971年10月25日联大第1976次会议
期刊
近十几年来,随着工业界以及政府投资力度的加大,硅基光电子获得了前所未有的发展契机。依托于目前商业上最先进的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺体系,硅基光电子具有低成本、低功耗、小尺寸以及高集成度的优势,被视作是未来光电集成以及全光互连的首选方案。在此背景下,本文着重研究了基于硅基双环调制器的电光调制幅度增强及啁啾特性
随着半导体制造技术的发展,器件尺寸越来越小,以满足人们对器件高性能和低功耗的要求。尺寸缩小对制造技术提出了巨大挑战,缺陷成为影响产品良率的主要因素。芯片中接触孔的作用是连接前段器件和后段金属,而接触孔缺陷直接影响着电路的连接和器件工作状态,是半导体制造中的关键工艺。由于该缺陷发生在接触孔底部的位置,只能通过电子束扫描,探测接触孔电阻异常的方法来寻找缺陷。本课题针对三种接触孔成型工艺缺陷进行研究,分
传统的电控波束成形网络受限于孔径效应,无法满足未来相控阵雷达对于大带宽的需求,并且扫描范围较小,速度较慢。近年来,将微波光子技术引入波束成形网络中,有效提高了相控阵雷达的工作带宽和抗干扰能力。但是,目前的系统大多采用分立的光学器件,无论是尺寸、重量还是功耗仍然有待提升。基于集成器件实现波束成形网络也只是局限于个别器件的集成,并未完全解决系统体积、功耗等问题。为此,本文提出并研制了基于光开关型延迟线
随着第五代移动通信技术的逐渐成熟及毫米波通信技术的不断发展,无线通信系统小型化的需求愈来愈高,系统向着高度集成化发展的趋势愈来愈快。目前,作为推动系统集成度不断提高的关键方法,各种先进的封装技术不断涌现、电子微组装技术持续进步,通信系统向着高集成度、高频率、宽频带和高功率方向快速发展,已得到了学术界及工业界的广泛关注。与此同时,随着通信系统不断朝着大功率和高频率等方向演进,也带来一些待研究和解决的
随着半导体器工艺节点的不断刷新新低,互连技术对芯片最终的质量影响越来越大,主要体现在可靠性、延迟、能耗等性能。自130nm技术节点开始,铜布线因其优异的RC延时、抗电迁移等性能而逐渐取代铝布线,其中铜电镀是其最主要的关键工艺之一。在40nm技术节点,铜通孔最小直径已缩小至至90nm左右,电镀铜里更易出现埋层空洞缺陷,而这种缺陷在电镀后或化学机械抛光后很难被及时发现,而是到最终端进行晶圆可接受性测试
在汽车电子市场份额逐渐增长的背景下,集成电路封装的要求变得越来越高。目前,半导体封装使用的工艺能力在不断提升,抗压能力越来越强,但芯片成本缺日渐降低。在传统消费电子封装中,因为市场金价的波动起伏和本身材料特性的限制,铜线的低成本和本身突出的导电性、导热性以及稳定性等特点使其在半导体市场中慢慢取代金线成为主导地位。但是在汽车电子行业,因为汽车电子委员会针对汽车电子Grade等级划分和高品质要求,市场
随着技术的进步以及人们对于生活便捷性的需求,电子元器件开始向小型化以及多功能化发展,因此作为电子元器件核心组成部分的集成电路器件在设计和制造上开始追求更小的栅极线宽,更多的金属层数以及更低的电阻电容延时。栅极线宽的变小要求集成电路中的介电层工艺具有在更小区间内的间隙填充能力,而多功能性则促使着相关研究单位尝试通过调整集成电路结构中薄膜氧化层的成分来缩短相关器件的电阻电容延时。在此背景下,采用高密度