目前国内外关于有机绝缘层制备的研究报道较多,但是针对ITO对有机薄膜的性能影响的研究较少。本课题在ITO基底上制备了两种有机绝缘层,并对绝缘层的表面形貌、电学特性和漏电机理进行了研究。首先使用苯膦酸对ITO进行表面修饰,测量ITO的表面粗糙度和亲疏水性变化;然后在ITO基底上用旋涂的方法制备PMMA与PVP绝缘层,检测ITO修饰对PMMA与PVP表面形貌和电学特性的影响;旋涂不同分子量的PMMA与不同交联剂质量分数的PVP薄膜,分析分子量对PMMA绝缘层的影响和交联剂质量分数对PVP绝缘层的影响,并从漏电机理方面进行探讨。研究结果表明,ITO修饰时间为2h时得到最佳的ITO表面,且ITO经过修饰后PMMA与PVP绝缘层薄膜表面粗糙度、漏电流均减小,电学性能趋于稳定。不同分子量的PMMA薄膜的漏电机理基本相同:在0-6V、6-10V、10-15V的电压变化范围内,主要漏电机理分别为普尔-弗朗克效应、肖特基发射、空间电荷限制电流。PVP与PMF质量分数均为5%时可以得到质量更好绝缘层薄膜,漏电流较小,可靠性较高。交联剂质量分数为3%、5%、7%的PVP薄膜漏电机制分别在10.3V、10.8V、10V时由普尔-弗朗克效应转变为肖特基发射效应。本工作中制备的PMMA与PVP绝缘层表面粗糙度较小,成膜质量较好;漏电流在10-8A/cm2数量级,分子量为350k的PMMA薄膜的单位面积电容达到10.75nF/cm2,PVP与交联剂质量分数均为5%的PVP薄膜单位面积电容达到19.0nF/cm2,且电学性能稳定,可以用于实现高性能OTFT等有机光电器件。