InGaN太阳能电池外延片的生长

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【摘要】

：

当前太阳能电池的一个普遍问题就是效率偏低，且要求比较大的面积，尤其是宇航，卫星，航空航天领域中这些问题就变得更加的棘手，非常迫切的需要解决。目前硅基太阳能电池已经做到了极限，人们迫切的需要一种新型高效太阳能电池来满足需求。InGaN太阳能电池有着不可比拟的优势。首先，作为直接带隙半导体，其吸收系数远远大于间接带隙半导体，其次，InGaN合金的禁带宽度可以从0.7eV到3.4eV连续可调，完美的对应

【作者】

：

贾文博

【机构】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2013年02期

【关键词】

：

InGaN 太阳能电池脉冲生长量子阱

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