阻变存储器(RRAM)是一种新型的非挥发性随机存储器,它在传统的存储器基础上进行改进,不仅提高了器件的存储密度,大大的降低了其制造成本,并能与集成电路工艺更好的兼容。本文利用材料在纳米尺度下具有特殊性能的特点,对p型硫氰酸亚铜、n型氧化锌、聚甲基丙烯酸甲酯、金属铁纳米颗粒镶嵌非晶纳米氧化铝这4种材料的阻变性能展开了深入的研究,主要结论如下:1.利用电化学沉积的方法在ITO导电玻璃片上制备了空心三角锥状的硫氰酸亚铜薄膜,实验结果表明,得到空心形貌的最佳的沉积条件为:频率1KHz,低电压为300 mV、高电压为900 mV的脉冲电压,电解液组成为0.01 mol/L的CuSO4+0.05 mol/L的KSCN+0.1 mol/L的ETA,沉积时间10分钟。将其构筑成电阻开关器件后,通过施加交流电压、单方向的电压和直流脉冲电压等不同类型的外加电场发现,硫氰酸亚铜器件具有信息存储的功能,并提出了空间电荷极化效应机制来解释该现象。2.设计了CuSCN/PMMA/ZnO(p-i-n)三明治型阻变存储器。当外加电场作用在由p-CuSCN和n-ZnO构成的p-n结上时,器件仅仅表现出整流效应,而加入PMMA后,器件表现为稳定的双极性电阻开关效应。最终分析得出,由于PMMA的加入,器件的耗尽区增加,且在外加电场作用下,ZnO和CuSCN中的陷阱会发生填充和排空,ZnO和CuSCN之间就发生量子隧穿效应。3.采用以表面活性剂的自组装体系为模板的均相沉淀法制备了金属铁纳米颗粒镶嵌非晶纳米氧化铝材料,构筑了Fe/Al2O3的阻变存储器,并在不同温度下对器件进行测试。结果表明,温度的改变能影响材料内部陷阱电子的运动,温度越高,器件的导电性越差。343 K时,器件不再导通;297 K时,器件表现为欧姆接触,能对信息进行存储,研究发现是由于材料内部陷阱电子发生直接遂穿所致;273 K环境下冷却处理后,曲线双向交叉,表现为稳定的电阻开关效应,从结果中研究得出陷阱电子在低电压下发生直接遂穿,高电压下发生空间电荷极化效应。