钛扩散进入铌酸锂晶片的过程被视为一种电化学反应。扩散过程中包含钛离子进入铌酸锂晶体的离子转移过程。钛离子取代铌在晶体中的位置,而铌离子则扩散进入基片的表面。这个电化学扩散过程被用于改变铌酸锂晶片的表面结构。本论文在国内外率先开展了该方面的研究工作,并取得了一些初步实验结果,为进一步的研究奠定了基础。本论文的主要工作包括以下四个方面:1.以掺杂氧化镁的同成份铌酸锂晶体为基底,在其表面一半溅射上钛膜,在其上覆盖另一片掺杂氧化镁的同成分铌酸锂晶体并紧密接触。在大约1050℃的高温下煅烧10个小时,扩散过程中,氧气通过60℃的水浴,并以1L/min的流速通入扩散炉。2.进行了三组对比实验,定性的给出了钛膜厚度、扩散时间、扩散温度对掺杂氧化镁的同成份铌酸锂晶体的腐蚀深度的影响。即,增加钛膜厚度、延长扩散时间、提高扩散温度可以有效地增加铌酸锂晶体的腐蚀深度,并且,当初始钛膜厚度大于600nm左右的时候,腐蚀深度随着钛膜厚度的增加有所下降。3.表面被腐蚀的情况将通过原子力显微镜来进行定性的描述,可以看出,被腐蚀的上片具有明显的被腐蚀的特征,并且被腐蚀表面几乎与原始晶片表面一样平滑;下片隆起部分非常明显,但是扩散后的表面变得异常粗糙。而且其隆起部分的边缘处也是非常陡峭,高度提升非常明显。腐蚀所产生的沟槽深度和粗糙度将使用台阶仪和原子力显微镜来进行定量的分析,腐蚀深度达到266.5nm,表面RMS粗糙度为1.3nm。4.采用拉曼散射技术和X射线衍射技术对腐蚀后的铌酸锂晶片进行了晶相表征,其结果表明:用钛扩散方法腐蚀掺杂氧化镁的同成份铌酸锂晶体并未导致其他晶相的形成。