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氧化锌(ZnO)是直接宽禁带半导体材料,晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm。室温下的宽度约为3.30eV,激子束缚能约为60meV。具备了发射蓝光或者紫外光的优越条件,有望开发出紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。对于宽带隙半导体而言,引入少量杂质通常能诱导明显的电学和光学特性变化。目前通过掺杂来调节或改善其性能是ZnO薄膜研究的热点之一。如通过掺杂Ag、Cu、Li或N等来获得p型ZnO薄膜;通过掺杂Mg或Cd来改变薄膜的带隙,从而获得紫外带边发射的MgZnO/C