ABO₃型钙钛矿锰氧化物对A、B位离子具有一定容忍性,这种材料体系有利于通过对A、B位离子的掺杂与替换制备出新的材料体系来达到对材料改性的目的。但较大的磁电阻往往发生在更低的温度区间,同时依赖于更大的磁场,这是目前急需解决的问题,由于磁电阻（MR）效应中材料的本征磁电阻往往发生在居里温度附近,因此在La_1-xSr_0.2MnO₃（LSMO）材料的基础上进行A位元素的掺杂,使材料的晶格产生畸变,改变材料的晶粒尺寸和双交换作用进而得到更大的低场磁电阻（LFMR）。同时有研究表明较小的掺杂水平变化就会对材料的电输运性能产生较大的影响,因此探究稀土元素微掺对材料性能的影响更适合对材料的电输运性能进行控制,找到更适宜的掺杂比例以获得更好的电输运性能。采用溶胶凝胶法制备了一系列的La_1-xSr_0.2MnO₃（x=0.1,0.15,0.2,0.25）,通过对La_1-xSr_xMnO₃体系展开不同Sr含量的研究来选择一个具有较优秀电学性能的组分进行掺杂,找到合适的掺杂比例后,通过Y元素大比例的替代La位,寻求更适宜的掺杂组分,使用稀土元素对已确定好的比例进行A位离子的低比例替换以探求性能优良的多晶陶瓷材料。通过X射线衍射图谱来表征陶瓷样品的结晶状况、晶胞信息、晶体结构等;通过扫描电镜观察各样品的表面形貌,分析统计材料的晶粒尺寸、晶界连通性、缺陷情况等形貌信息。通过与能谱仪与扫描电镜的背散射电子像分析材料的元素分布以及元素组成,利用四探针法在零磁场以及1T磁场下对陶瓷样品的电阻-温度曲线进行监测,对材料的电输运性能进行表征。结果表明La_0.8Sr_0.2MnO₃陶瓷显示出了更好的化学均匀性以及更接近室温的金属-绝缘体转变温度,更适合作为掺杂的母相以探求近室温环境下更好的电学性能。Y元素在掺杂量大于0.1后会出现YMnO₃析出的情况,但在掺杂量为0.1时消失,材料随着掺杂量的增加获得了较大的MR但峰值MR对应温度降低,探求近室温环境下的具有优良电学性能的材料应在低掺杂量下进行。在掺杂量为0.03～0.06的范围内随着稀土元素（Y,Nd,Gd,Dy）掺杂量的增加,材料的金属绝缘体转变温度均转向低温,并在La_0.76Gd_0.04Sr_0.2MnO₃的样品中获得了34.6%,273.6 K的近室温LFMR,以及La_0.74Y_0.06Sr_0.2MnO₃中52.3%的LFMR。随着稀土元素（Y,Nd,Gd,Dy）有效半径的减小材料的MR逐渐增大。Y,Nd,Gd,Dy元素在低量微掺杂的情况下均使材料的MR大于未掺杂的La_0.8Sr_0.2MnO₃材料。Y,Nd,Gd,Dy元素的掺杂均有利于提高材料的峰值LFMR。