有机半导体单晶具有分子堆积高度有序,无晶界以及极少的缺陷等特点,是研究晶体结构与性能关系的理想平台。同时,以有机半导体单晶为半导体层的场效应晶体管是研究有机半导体材料本征性能的有力工具。有机半导体单晶是有机单晶场效应晶体管性能的决定性因素,因而制备高质量的有机半导体单晶是研究有机半导体材料本征性能的前提条件。有机半导体单晶的质量依赖于多种因素,如分子结构,生长条件,浓度等。其中最关键的因素是有机半导体的分子结构。因而,我们选取的有机半导体材料是具有对称平面共轭分子结构的2,6-取代的蒽的衍生物。这种蒽的衍生物有利于有机半导体的结晶,从而能够提升晶体的质量。在对有机半导体晶体的性能进行研究之后,还需要考虑到有机半导体晶体需要面向实际应用。有机半导体晶体的阵列化或图案化是实现有机半导体晶体应用在集成电路中的前提条件。因而有必要研究如何调控这一类的蒽的衍生物的晶体的生长位置,以便得到阵列化的有机半导体晶体。所以,本文的研究主要包括两个部分,分别是有机半导体晶体的性能以及调控有机半导体晶体的生长。首先是对有机半导体晶体的性能进行研究。我们选取的材料是2,6-双苯乙炔基蒽(DPEA),并使用物理气相传输法制备了其晶体。通过多种方法对晶体进行了表征,如光学显微镜,原子力显微镜,扫描电镜,透射电镜以及X射线衍射。根据表征的结果,我们确定了所制备的DPEA晶体是单晶并确定了分子的堆积方式以及晶格常数。晶体在基底上的生长模式为一层一层地生长。为了研究DPEA的本征性能,我们使用转移金膜法制备了基于DPEA单晶的底栅顶接触构型的场效应晶体管。测试结果表明DPEA具有较好的性能,器件的迁移率最高可达4.52 cm2 Ⅴ-1 s-1,平均迁移率也在2 cm2 V-1s-1以上。此外,器件还具有非常低的接触电阻,测试结果为335 Ω cm。器件亦具有非常好的稳定性,在大气中放置大约一个月后,器件的性能并没有明显地衰减。通过研究迁移率与温度的依赖关系,还确定了 DPEA单晶中的电荷输运为能带传输。通过对有机半导体晶体性能的研究,我们掌握了生长有机半导体晶体的方法,并以此为基础研究如何调控有机半导体晶体的生长。我们提出了一种新的方法来制备有机半导体晶体阵列。这种方法是通过真空蒸镀预先在基底的特定位置植入晶核,之后再使用物理气相传输法生长晶体,就能在基底上得到阵列化的有机半导体晶体。通过热处理或溶剂涮洗能调节晶核的密度,从而改善有机半导体晶体的质量。植入晶核法可以实现有机半导体晶体的限域生长,为使用物理气相传输法制备有机半导体晶体阵列提供了新的方法。这种新方法也促进了有机半导体材料在有机电子学中的应用。