【摘 要】
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为改善电子的注入我们在电子传输和发光层Alq3与半透明阴极Al/Ag之间增加电子缓冲层ZnO。器件的结构为Si/SiO2/Ag（100nm）/Ag2O（30s）/m-MTDATA（45nm）/NPB（25nm）/Alq3（60nm）/ZnO/Al（4nm）/Ag
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为改善电子的注入我们在电子传输和发光层Alq3与半透明阴极Al/Ag之间增加电子缓冲层ZnO。器件的结构为Si/SiO2/Ag（100nm）/Ag2O（30s）/m-MTDATA（45nm）/NPB（25nm）/Alq3（60nm）/ZnO/Al（4nm）/Ag（12nm）。电子缓冲层ZnO的引入既起到了降低电子注入的有效势垒又起到了增加在Alq3/ZnO界面的空穴势垒,使更多的载流子在有源区结合。这导致了器件开启电压的降低及发光亮度和电流效率的增加。我们在器件结构为Si/SiO2/Ag（70nm）/Ag2O（30s）/ m-MTDATA（45nm）/NPB（5nm）/ Alq3（50nm）/LiF（1nm）/Al（0.3nm）/Ag（18nm）的上面蒸发ZnS增透层,以改善器件的透射性能。考虑到Al既能提供有效的电子注入又尽量减少其在可见光区域的吸收,我们调整了Al的厚度,发现当Al为0.3nm时为最优。在Al（0.3nm）/Ag（18nm）的阴极上面增加了32nm厚ZnS折射率匹配层,这样我们得到了最大亮度和最大电流效率分别为145474 cd/m2 （13 V）,12.2 cd/A （5 V）的器件。
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