作为一种新型磁性材料,ε-Fe_2～3N的微观结构、磁学性能及电学性能可以通过调控Fe:N比例、掺杂等方式进行调控,因此在自旋电子学研究领域有很大的应用前景。本论文针对ε-Fe_2～3N薄膜的磁电输运特性和掺杂特性进行了研究,取得的主要研究结果如下:应用磁控溅射技术在Al₂O₃衬底上制备了ε-Fe_2～3N薄膜样品(铁磁性ε-Fe_2.95N和顺磁性ε-Fe_2.28N),研究结果表明,二者都具有六角晶格结构;铁磁性的ε-Fe_2.95N样品厚度均匀,但剖面中有一些明显的衬度变化,这是样品内部存在晶畴所导致,同时,晶界处会被不同程度氧化;ε-Fe_2.95N在温度50 K时有一个明显磁学状态转变点,这是与被冻结的磁畴有关;ε-Fe_2.95N样品表现出金属导电特性,低温下表现出量子限制效应所导致的输运特性;最为重要的是,ε-Fe_2.95N在温度小于50 K时表现出类似自旋阀的磁电阻输运特性,这是这由于ε-Fe_2.95N薄膜中晶畴边界或磁畴边界对自旋极化电流的自旋相关散射所导致。应用磁控溅射技术在Al₂O₃衬底上制备了Cu掺杂ε-Fe_2～3N薄膜,研究结果表明,衬底温度升高有利于形成Cu掺杂浓度可调的ε-Fe_2～3N薄膜;薄膜表面Fe、Cu离子被一定程度氧化,但Cu离子的氧化程度比Fe离子要弱;不同浓度Cu掺杂ε-Fe_2～3N薄膜其矫顽力基本相同,居里温度高于室温,随着Cu组份的增加饱和磁化强度逐渐降低;电学特性分析表明,样品展现出金属导电特性,且随着Cu组份增大,电阻相对变化率降低。应用磁控溅射和高温N化相结合的方式在Al₂O₃衬底上制备的Cu掺杂、Zn掺杂ε-Fe_2～3N薄膜,研究结果表明其物相组成较复杂,与磁控溅射制备的样品相比,薄膜质量较差。这些研究成果也为我们下一步研究ε-Fe_2～3N相关的新型自旋电子学器件提供了实验依据。