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利用SiCGe能隙可在窄于碳化硅能隙的范围内适当剪裁的特点,在SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜,通过调节p-SiCGe中Ge组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度,实现对近红外和可见光的较强吸收,进而制作出高性能的异质结,便会极大促进SiC材料在电力电子器件和光电子器件领域的应用。本文主要研究在n型6H-SiC衬底上的p-SiCGe薄膜的生长特性,工艺参数,缺陷分析以及SiCGe/SiC pn异质结的电学特性。得出了以下主要结论:1.实现了SiCGe薄膜的层状生长。首先,对比源气体大流量和小流量的生长特性;其次,研究了不同Si/C比对SiC薄膜的影响,得到层状生长的SiC薄膜;最后,研究了生长温度和GeH4流量的改变对SiCGe薄膜的影响。随着生长温度提高,岛状生长模式逐渐过渡到层状生长,同时样品中的Ge含量随生长温度的升高而降低;生长温度为1250℃时,样品可以得到较好的表面形态,增加反应源中的GeH4流量比可以在一定程度上增加SiCGe样品中的Ge含量。2.分析了p-SiCGe薄膜中APB（Antiphase Boundaries）缺陷和DPB（Double PositioningBoundary）缺陷。APB缺陷是由衬底表面上的台阶两边不同的区域交接处形成。DPB缺陷是外延层晶体堆垛次序由SiC衬底的6H（ABCACB）结构变为3C（ABC…或ACB…）结构时,在两种不同排列的3C结构之间形成的边界。3.生长出了p型的SiCGe薄膜。在B2H6流量为0.1～0.5sccm时,热探针法和霍耳效应测试出生长SiCGe薄膜为p型,其掺杂浓度约在1020cm-3左右。4.测试分析了SiCGe/SiC pn异质结的电学特性。制作的异质结具有整流特性,在电流密度为0.03451A/cm2时开启,电压为1.6V;在反向电压为10V时电流密度为0.02697A/cm2,在反向电压为20V时电流密度为0.07792A/cm2。