移动通信、物联网和人工智能等技术的快速发展,要求集成电路行业提供速度更快、功耗更低、功能更丰富的芯片。但随着晶体管工艺尺寸按比例缩小,芯片规模增大和工作频率提高,芯片的总功耗急速增大,这不仅导致芯片的可靠性降低,而且造成芯片的制造和使用成本增加。电池技术落后于芯片功耗的增加,给依靠电池工作的终端产品带来诸多限制。功耗已经成为集成电路从业人员需要应对的严峻挑战之一。已有研究人员提出设计电路时,采用双输入器件比单输入器件更加灵活和高效,能有效地简化电路结构,减少器件的使用数量,从而降低电路功耗。一个器件如果有三个输入端,那将会有更强的信号处理能力。一种新型结构的三输入器件,命名为三输入T沟道场效应晶体管（T-channel Field Effect Transistor with Tri-inputs:Ti-Tc FET）。该器件有一个“T”字型的沟道,包括水平沟道和垂直沟道两部分。相同的三个栅极电压对沟道电荷的控制能力相同,这在电路设计时可以将三个栅极同等对待,不用加以区分。以N型Ti-Tc FET器件为例,当三个输入中有两个即以上的输入为高电平时,器件导通,否则器件关断,这就可以实现了三输入多数非的逻辑功能。要对新型器件进行全面的研究,器件模型必不可少。对于某些正在开发的新型器件,准确的分析模型要么不够成熟,要么根本没有。所研究的新型器件只有应用到具体的电路中才能发挥准确地评估器件性能。查找表模型起到很好的替代作用,是一种有效且准确的器件电路仿真模型,对于评估新兴器件的电路性能特别有用。本文为三输入器件Ti-Tc FET建立了用于电路仿真的查找表模型,利用Ti-Tc FET对称的器件结构将模型进行简化。简化后的模型具有建模过程简单、仿真速度快和精度高的特点。根据三输入器件Ti-Tc FET独特的逻辑功能,进行了电路设计,总结电路设计方法。本文主要做了主要工作如下:（1）介绍了三输入器件仿真模型建立流程和验证过程。提出的三输入器件仿真模型是参考传统单输入器件的查找表模型,结合三输入器件特点进行了改进,将三输入器件的前栅和背栅进行等效,优化了仿真模型,在不影响仿真精度的情况下节省了存储空间,也提高了利用模型在SPICE仿真器中的仿真速度。优化后的仿真模型通过器件仿真和电路仿真进行了验证,仿真结果表明所建立的模型是准确有效的。（2）研究了三输入器件Ti-Tc FET设计的电路设计方法。三输入器件Ti-Tc FET可以同时处理三个输入信号,实现三输入多数非的逻辑功能。利用N型Ti-Tc FET器件和P型Ti-Tc FET器件就可以实现所有的三变量单元电路。与传统三输入器件实现的一位全加器相比,基于Ti-Tc FET器件的一位全加器电路简单,功耗和功耗延时积都较小。综上所述,本文提出的为三输入器件建立仿真模型的方法对其他新型器件的建模具有参考意义。基于三输入器件Ti-Tc FET的电路设计方法,能为低功耗电路设计提供新思路。