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目前,通过共结晶的方式来改善炸药的物化性能已成为含能材料领域的研究热点。共晶炸药的形成主要依靠范德华力、氢键、π-π堆积等弱的分子间相互作用力,而这些相互作用的能级跃迁正好位于太赫兹(THz)谱的检测范围,可利用THz谱对此类相互作用进行直接明确的指认。本论文正是基于THz谱对分子间相互作用敏感的独特优势,以CL-20/TNT共晶炸药作为研究对象,对其THz谱进行理论模拟及解析,获取共晶形成在THz光谱上的响应。同时探讨温度和空位缺陷对CL-20/TNT共晶THz谱的影响。具体研究内容和主要结论如下:(1)对ε-CL-20和TNT晶体以及CL-20/TNT共晶THz谱进行理论模拟,并分析其振动归属。结果显示,和共晶单体ε-CL-20和TNT相比,CL-20/TNT共晶出现了5个新的特征吸收峰,分别位于0.25、0.38、0.87、1.60和1.85 THz处。其中,0.25、0.38、0.87 THz吸收峰由共晶的晶格振动引起。对共晶形成的主要驱动力,即CL-20和TNT分子间氢键C-H…O,0.87 THz对应其弯曲振动;1.60和1.85 THz对应其伸缩振动。(2)由于CL-20/TNT共晶分子间相互作用的各向异性,即(010)晶面以CL-20与TNT的分子间氢键C-H…O为主,(120)晶面主要为CL-20与TNT分子间π-π堆垛作用,而(001)晶面的主要作用方式为CL-20与CL-20分子间的静电力。为了进一步确认这些分子间相互作用在THz谱上的响应,本论文模拟分析了CL-20/TNT共晶不同晶面的THz光谱,发现0.07 THz处的吸收峰由CL-20与TNT分子间π-π堆垛相互作用引起;对比(010)晶面和共晶的THz光谱,进一步证实了共晶中的新峰0.87、1.60和1.85 THz为CL-20与TNT分子间氢键C-H…O的振动跃迁所致。β-CL-20和ε-CL-20晶体与(001)晶面的THz光谱分析,表明CL-20/TNT共晶中的CL-20分子为β-构象。(3)对不同温度(5-296 K)下CL-20/TNT共晶及其(010)、(001)和(120)晶面的THz光谱进行了理论模拟。对CL-20/TNT共晶,低温下对应晶格热振动的低频振动峰(<1.5 THz)消失,同时出现了两个新的THz峰,分别位于4.58和5.99 THz,可归因于声子振动或分子间相互作用。和296K的THz光谱相比,随着温度的降低,有五处吸收峰发生蓝移,两处红移。峰的位移说明随着温度的变化晶体结构和分子间相互作用均有所改变。此外,CL-20/TNT共晶(001)晶面存在0.79、1.53、3.84和5.45 THz四处清晰的THz振动峰,由分子内本质的振动模式引起。(120)晶面0.07 THz处的特征吸收峰基本不随温度变化,进一步证实了0.07 THz振动峰归属于CL-20/TNT共晶中π-π堆垛相互作用。(4)空位缺陷导致CL-20/TNT共晶晶体结构松弛,孔洞表面或附近的分子排列混乱。当空位浓度>5%时,观察到孔洞周围的部分分子发生了β?ε的构象转变。当空位浓度增大到20%时,晶体结构有明显的坍塌趋势。通过对不同空位浓度CL-20/TNT共晶THz光谱的研究发现,随着空位浓度增加,CL-20/TNT共晶0.5 THz以下低频吸收峰增强。由于空位的引入破坏了共晶的氢键网络,0.73、1.60、1.85以及0.87 THz四处吸收峰强度减弱,甚至消失;此外,当空位浓度达20%时,0.5-1 THz特征吸收峰变宽,且其THz光谱已不同于CL-20/TNT共晶完美单晶。