【摘 要】
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该文系统研究了In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长的光学性质,以及量子点激光器的制备和性能.主要内容和结果如下:(1)用AFM,PL等手段系统研究了分子束外延生长的In(Ga)As/
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该文系统研究了In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长的光学性质,以及量子点激光器的制备和性能.主要内容和结果如下:(1)用AFM,PL等手段系统研究了分子束外延生长的In(Ga)As/GaAs量子点的物理性质.(2)制备了980nm量子点激光器,获得了室温脉冲激射,激光波长976.8nm,输出功率大于200mW.(3)对1.3μm量子点激光器的设计和制备进行了探索.深入研究了长波长发光InAs/GaAs量子点的电致发光谱,证明可以通过增加有源区量子点的数目获得基态发光.
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