电力电子技术的发展对变换器的小型化、轻量化、高效化给予了更高的期望。高开关频率高电压等级是电力电子器件发展的必然趋势,而SiC MOSFET是第三代宽禁带半导体的典型代表,其优异的器件特性给功率变换器的发展带来了希望和一条快速通道。为适配SiC MOSFET变换器应用,驱动电路的设计尤为关键,其中串扰问题的解决更是当务之急。基于此本文针对SiC MOSFET串扰抑制驱动电路展开研究,具体研究内容如下:首先介绍了SiC MOSFET的器件特性,包括其物理结构和静动态特性,并将特性结合其开通关断过程模型进行研究分析,对不同阶段绘制等效电路建立数学模型。考虑到开关过程中寄生参数的影响,故对其进行提取并通过仿真软件进行分析。对桥臂串扰问题的原理进行分析,建立行为模型并通过数学推导得出桥臂串扰电压的影响因素,对这些影响因素进行仿真研究,为后文设计驱动电路和选择器件参数提供了理论依据。介绍了多种串扰问题抑制驱动电路设计方法,针对传统型、电容型、推挽型驱动电路给出了模型分析和优缺点总结。设计了一种新型串扰抑制驱动电路,分析其工作原理并与三种常用驱动电路进行仿真对比研究,表明所设计的新型驱动电路在串扰抑制能力、开关速度、开关损耗各方面具有更加优越的性能。同时进行了硬件电路设计,包括电源模块、隔离方式、短路保护电路、米勒钳位等,通过双脉冲测试实验获取了器件参数,验证了新型驱动电路的串扰抑制能力。结合双向DC-DC变换器,搭建了使用SiC MOSFET新型串扰抑制驱动电路的变换器应用平台,通过实验验证了新型驱动电路的有效性。该论文有图90幅,表5个,参考文献82篇。