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MgxZn1-xO薄膜能在较宽的光学带隙范围内可调（3.37.8e V）,用作MgZnO-TFT有源层时,MgZnO薄膜的禁带宽度大于Zn O的禁带宽度,能促进TFT在透明电子学的发展;作为紫外探测器时,MgZnO可以探测220-280nm的紫外光,是国内外研究紫外探测器件的一个热点。要获得性能优良的薄膜,除了要控制制备薄膜的各项工艺条件外,是否能够制备出高品质的溅射靶材也是极其重要的因素之一。本实验采用Zn O、Mg O粉末为原料,传统的干压成型、常压烧结法制备MgZnO陶瓷靶材,研究原料球磨时间、烧结温度、Mg O含量等工艺对MgZnO靶材烧结的影响。将制备的MgZnO靶材通过RF磁控溅射方法在石英衬底上镀膜,并研究所镀薄膜的相关光学特性,以此评估靶材的实际性能,期望能为MgZnO靶材的量产建立相应的技术基础。主要内容与结论如下:1.球磨开始的前阶段,粉末的细化作用非常明显,在前36h内MgZnO粉末的粒径从1.5μm迅速下降到350nm;随着球磨时间进一步延长,球磨效果提高不明显,球磨时长增至72h时,EDS数据表明已经有微量磨球杂质引入。综合考虑能耗和粉末的纯度等因素,最佳球磨时间应为36h。经36h球磨后的MgZnO粉末烧结制备的靶材相对密度高,孔隙率小,晶界模糊。2.探索不同烧结温度、不同Mg含量对靶材的收缩率、致密度、抗弯强度、显微硬度等性能的影响。当Mg含量x≤0.12时,Mg O与Zn O形成固溶体,Mg O能促进靶材的烧结致密化,靶材的最适宜烧结温度为1450℃;x≥0.2时,超过其在Zn O中的固溶度极限后,多出的Mg O会留在烧结体中,靶材最适宜烧结温度为1500℃,烧结温度较x≤0.12时有所提高。3.在不同Mg含量条件下,随着Mg O含量的增加,同一烧结温度下,靶材抗弯强度先增加后降低,x=0.12时达到最大值94.56MPa。硬度则是随着Mg含量的增加一直增大。在1450℃烧结,x=0时,维氏硬度为152.0HV0.3;x=0.4时,维氏硬度为364.045HV0.3。4.随着Mg O含量的增加,MgZnO靶材的导电性逐渐降低,x=0时,电阻为819.36Ω;x=0.4时,电阻降为30MΩ。5.通过射频磁控溅射制备出MgZnO薄膜,XRD表明Mg含量x=0.2时,薄膜物相仍为Zn O相。随着Mg O含量的升高,薄膜透过率增加,禁带宽度变宽。x=0.2时薄膜可见光的平均透过率为92.42%,禁带宽度增至3.98e V。