最近,高介电常数材料引起了科研工作者的广泛关注,其介电常数在室温下可以达到10⁴,甚至更高。它具有的高介电特性只需要简单的制造流程就能够实现,相比其他低频的介电常数还要高出很多。CCTO材料的介电常数值和温度是不存在联系的,所以制成电子器件会具有更高的稳定性。本文对掺杂NiO的CCTO材料,即CaCu₃Ti₄O₁₂-x NiO（x=0.006）进行了高压拉曼以及高压原位交流阻抗谱测量,然后对它的介电常数和压力的关系进行了研究,并对其进行了常压XRD表征和SEM形貌表征,系统地研究了CaCu₃Ti₄O₁₂-x NiO（x=0.006）样品在高压下的电输运性质、介电性以及微观晶体形貌对电学特性产生的影响,得到了以下的研究成果:首先,在实验中对CaCu₃Ti₄O₁₂-x NiO（x=0.006）样品做了XRD研究,之后与PDF标准卡片比对,发现衍射峰的位置没有改变。XRD结果表明,Ni²⁺离子没有通过添加NiO进入到CCTO的晶格中。我们还对样品进行了SEM表征,通过扫描电子显微镜发现CaCu₃Ti₄O₁₂-x NiO（x=0.006）样品是多晶且不均匀的结构,尺寸大小在微米量级。通过高压拉曼谱测量得出,压力在5.1GPa处峰位频移的斜率发生了变化,压力在17.7GPa处出现了一个新峰,并且峰值的强度随着压力的变大逐渐增强。其次,我们对CaCu₃Ti₄O₁₂-xNiO（x=0.006）样品在高压下进行了原位交流阻抗谱测量实验,通过测量我们得出在加压的过程中,从0.7GPa到5.4GPa随着压力的增加,样品的电阻值在逐渐减小;从5.4GPa到19.9GPa随着压力的增加,样品的电阻值逐渐增加;从19.9GPa到30.0GPa随着压力的增加,样品的电阻值又开始逐渐减小。但是实验得到的卸压阻抗谱与加压阻抗谱有着明显的不同,在卸压过程中,压力从30.0GPa减小到0.6GPa,样品电阻值随着压力的减小在一直增加。弛豫频率和压力的关系也是在5.4GPa与19.9GPa处产生了变化,压力从0.7GPa到5.4GPa范围内,弛豫频率随着压力的增加在逐渐变大;压力从5.4GPa到19.9GPa范围内,弛豫频率随着压力的增加在逐渐变小;压力从19.9GPa到30.0GPa范围内,弛豫频率随着压力的增加又开始逐渐变大。最后,我们探究了CaCu₃Ti₄O₁₂-xNiO（x=0.006）样品的介电常数和压力之间的关系。由于在压力的作用下会使样品的厚度不断减小,所以在计算中对样品的厚度进行了修正,更加精确的得出了样品介电常数和压力之间的依赖关系。发现压力在5.4GPa与19.9GPa处分别产生了变化,压力从0.7GPa到5.4GPa,介电常数随着压力的增加在逐渐减小,速率较缓;压力从5.4GPa到19.9GPa范围内,介电常数随着压力的增加继续减小,但是速率加快;压力从19.9GPa到30.0GPa内,介电常数随着压力的增加还在继续减小,但是速率又变得缓慢。在实验中拉曼数据和阻抗数据存在少许的压力偏差,因为在高压拉曼光谱测试过程中使用了传压介质,并且在标压过程中,样品腔内存在的压力梯度导致压力的偏差。