本文计入极性半导体量子阱中三支光学声子模的作用,讨论了有限深量子阱中电子—声子相互作用和极化子自陷能的压力效应。考虑电子发射和吸收多个虚声子的影响,讨论了压力作用下极性晶体中极化子基态的性质。 对量子阱,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子—声子相互作用,同时计入量子阱结构中三支光学声子模（局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子）的作用,计算了有限深量子阱中极化子自陷能的压力效应。同时给出光学声子对极化子自陷能影响随阱宽的变化关系。对GaAs/Al_xGa_1-xAs量子阱的数值结果表明,三支声子模与电子相互作用能量分别在不同的阱宽范围内起作用:在阱宽较小时,半空间类体声子贡献较大,与之相反,局域类体声子在阱宽较大时贡献较大,而在中间阱宽时,界面声子起主要作用。电子与声子模之间的相互作用能量以及极化子自陷能均随压力增大。 对于极性晶体,采用改进的线性组合算符法,考虑电子发射或吸收多个虚声子过程对极化子的影响,在中间耦合极限下,数值计算给出极化子自陷能、电子—声子耦合常数、极化子有效质量以及围绕电子的平均虚声子数随流体静压力的变化关系.对Ⅲ-Ⅴ族GaAs和Ⅱ-Ⅵ族ZnSe材料中极化子性质的计算结果表明:压力对Ⅱ-Ⅵ族材料的影响比较大。