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分子印迹技术(Molecular Imprinted Technique, MIT)是以目标分子为模板,将具有结构上互补的功能化聚合物单体与模板分子结合,再经过聚合、模板洗脱最后形成对目标分子具有专一识别性能的聚合物的技术。离子印迹技术(Ion Imprinted Technique,ⅡT)与分子印迹技术相似,只是模板由分子变成离子,而分子印迹的构效预知性、特异识别性和广泛适用性等优点仍然被保留。其应用已涉及到分离纯化、化学与生物传感器、模拟酶催化剂以及痕量分析等各个领域。本文依据硅胶表面修饰的分子印迹技术的基本思路,提出了一种基于硅胶表面修饰的离子印迹技术。采用硅胶微球表面接枝方法,先将功能配体(本课题所制备的两种聚合物分别采用3-氰基丙基三乙氧基硅烷和3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷)耦合接枝到硅球表面,然后以锑(Ⅲ)离子为模板,在交联剂环氧氯丙烷的作用下,制备了两种复合型离子印迹材料。通过改变本体浓度、吸附时间和溶液pH值,对锑(Ⅲ)离子印迹聚合物的吸附能力进行研究。实验结果表明吸附速率很快,20min就可达到吸附平衡；在pH值为3-9的条件下,吸附效果均很好。采用静态法研究了所合成印迹聚合物对Sb3+的结合特性,结果表明,该锑(Ⅲ)印迹材料对锑(Ⅲ)离子具有较强的记忆识别能力,主要表现在两方面：(1)对Sb3+的结合量很大,Sb-CPTS/SiO2和Sb-TCPTS/SiO2对Sb3+饱和吸附容量分别达到15.3mg·g-1和14.3mg·g-1；(2)对Sb3+的选择性较好,以IIP-CPTS/SiO2为吸附剂时,Sb3+相对于Cd2+、Ni2+、Cu2+、Pb2+、Fe3+的相对选择性系数分别为2.2,2.0,2.9,2.6,2.3；以IIP-TCPTS/SiO2为吸附剂时,Sb3+相对于Cd2+、Ni2+、Cu2+、Pb2+、Fe3+的相对选择性系数分别为2.6,2.4,3.7,2.7,5.9。同时印迹材料中的印迹离子容易洗脱,再生性能较好。