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对实验数据进行了分析表明,热电子发射是正向电流的主要输运机制,SiC中载流子的不完全离化是正向特性随温度变化的主要影响因素.在(297K-677K)的温度范围内,正向伏安特性符合热电子发射理论.反向电流中(反偏电压<30V),隧道电流、热电子发射电流、耗尽区载流子产生电流都随着温度的升高而增大,同时肖特基势垒高度随温度的升高增大.综合的结果是,反向电流随温度的上升变化不大.