采用溶剂热方法,以氯化铋（BiCl₃）为铋（Bi）源,硒（Se）粉、碲（Te）粉为Se源和Te源,二亚乙基三胺（DIEN）为溶剂,制备了Bi₂(Te_1-xSe_x)₃三元系纳米片（x在0-1范围内可调）。扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）测试结果显示所合成的样品为三方晶系Bi₂(Te_1-xSe_x)₃纳米片,厚度可薄至几纳米。高分辨透射电镜（HRTEM）和选区电子衍射（SAED）测试结果显示该纳米片为单晶三方晶系结构。能量色散谱（EDS）测试和XRD分析表明得到了三元合金Bi₂(Te_1-xSe_x)₃纳米片。分析认为氨基分子作为模板剂引导纳米片的形成。对所得样品进行电化学性能测试,结果显示Bi₂(Te_1-xSe_x)₃纳米片有一定的锂离子电池充放电性能。对样品的热电性能测试显示,赛贝克系数测试数据均为负值可知所制备的Bi₂(Te_1-xSe_x)₃纳米片均为N型半导体。热电优值（ZT）结果显示,两个三元系Bi₂(Te_1-xSe_x)₃纳米片的热电优值均高于其余两个二元系Bi₂(Te_1-xSe_x)₃的热电优值,其中Bi2（Te0.67Se0.33）3的热电优值最高,在439K时,达到0.79。说明合金化掺杂能够提高材料的热电性能。采用真空热蒸发镀膜法,以Bi₂Te₃粉末为蒸发源,硅片（[100]晶向）为衬底,生长出具有规则外形的Bi₂Te₃拓扑绝缘体纳米片和连续薄膜。SEM及XRD测试结果分析可知,实现了生长可控的高取向Bi₂Te₃薄膜的生长。原子力显微镜（AFM）测试分析显示,所生长的Bi₂Te₃纳米片厚度为6 nm,表面光滑厚度均匀。HRTEM以及SAED分析结果表明连续膜由三方晶系单晶Bi₂Te₃纳米片组成。X射线光电子能谱（XPS）测试表明Bi显示为+3价、Te显示为-2价,且Bi与Te比例基本为2:3。拉曼（Raman）散射测试观察到Bi₂Te₃具有拉曼活性的四个振动模式。