传统半导体材料,如Si、GaAs等,已愈发难以满足制造业日趋苛刻的需求。因此第三代半导体材料如碳化硅、氮化镓以更为理想的材料性能得到了功率半导体行业研究人员的广泛关注。其中4H-SiC由于具有高可靠性的外延、较高的电子迁移率、超高的禁带宽度、较大的电子饱和漂移速度、较大的临界击穿场强以及低迁移率、低各向异性等优异特性,以其为衬底的功率器件在电网、船舶、高速动车、电动汽车等领域得到了广泛应用。在众多电力电子器件中,SiC MOSFET因其优异的高频特性、高温特性、高速开关特性已在特高压直流输电、电动汽车等领域得到应用。近年来,我国也越发重视碳化硅电力电子器件的研究发展。在产品化过程中,高温栅偏和高温反偏试验可验证SiC MOSFET的高温可靠性,通过对比试验前后器件动静态特性参数的变化情况可研究国产器件的相关特性。本文首先研究了测量仪器对SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响,通过和AGILENT B1505A对比验证了专为大功率电力电子器件测试设计的LMSYS测试台并不适用于中低压碳化硅器件的动静态特性测试。随后采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数评估了碳化硅MOSFET动静态特性参数:导通电阻Rds（on）、阈值电压VGS（th）、跨导gfs、漏源极电容CDS、栅漏极电容CGD、栅源极电容CGS、上升时间tr、下降时间tf、开通延时td（on）和关断延时td（off）的分散性。设计了双器件并联均流试验,分析了器件导通电阻Rds（on）和阈值电压VGS（th）对器件间电流分布的影响。最后搭建了可同时进行HTGB和HTRB试验的高温综合试验平台,进行了 30只器件的高温可靠性试验,测量了 30只器件高温试验前后的动静态特性参数,通过拟合分析确定高温可靠性试验会影响器件的阈值电压和跨导,而对导通电阻和极间电容几乎不会产生影响。且除阈值电压外,高温可靠性试验后器件的静态特性参数多数呈上升趋势。并通过拟合试验前后器件特性参数的变化率与其参数值间的曲线确定参数变化率与其参数值基本呈负相关。最后基于测试结果,提出了一种适用于1200V/20ASiCMOSFET高可靠性需求的阈值,满足上述阈值后器件在高温可靠性试验前后特性参数变化率可控制在8%以内,进而提升器件在长期高温环境中的可靠性。