近年来,随着多晶硅TFT技术的不断发展,其应用也越来越广泛,并被视为a-Si TFT的理想替代品。相对于a-Si TFT, poly-Si TFT有其明显的优势:高迁移率、高速高集成化、p型和n型导电模式、自对准结构以及耗电省、分辨率高等优点,能够提供更亮、更精细的画面。其中p型和n型的导电模式不仅可以实现LCD的驱动,而且也可以实现OLED的驱动。因此采用多晶硅薄膜晶体管(TFT)有源矩阵是未来大屏幕、高分辨率平板显示的首选驱动方法之一。在制备多晶硅TFT时,由于机器的套准误差会在栅极与源、漏极之间产生重叠部分,这样就造成了栅源、栅漏之间的交叠电容,交叠电容的存在严重影响了多晶硅TFT的性能,而利用自对准工艺制备的多晶硅TFT则避免了交叠电容的产生。本文主要讲述了利用自对准方法制备多晶硅TFT的工艺,并对制备TFT过程中的曝光、显影、光刻以及功能材料的刻蚀工艺做了研究,摸索出了一套制备多晶硅TFT的方法,取得了一些有用的数据,希望对后续的工作有所帮助。本文一共分为七章:第一章介绍了本论文的研究背景、研究意义、主要工作以及国内外的研究进展;第二章介绍了TFT的结构和工作原理;第三章介绍了栅极与源、漏极之间叠加电容产生的原因和自对准工艺;第四章介绍了氮化硅的制备方法和测试方法;第五章介绍了多晶硅TFT有源层的制备方法并对各种晶化机理做了介绍;第六章主要对利用自对准工艺制备TFT的工艺进行研究,并对制备出来的样品进行了测试;第七章对全文进行总结。