Cu掺杂ZnO薄膜的结构及性质的研究

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【摘要】

：

ZnO作为一种优秀的半导体材料,以其直接宽禁带(3.37eV),高电子激活能(60meV)等特点,广泛的应用太阳能电池、压电薄膜、光电器件和气敏器件等方面。近年来,人们对稀释磁性半导体(Diluted Magnetic Semiconductors-DMS)材料越来越有兴趣,DMS材料是在非磁性半导体(如IV-VI族、II-VI族或III-V族)中掺杂过渡金属(如Fe,Mn,Co,Cr等),利用载

【作者】

：

陈学梅

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

Cu掺杂ZnO薄膜结构光学性质磁学性质

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