随着消费类电子产品的发展,数码音响产品的推广,手机和网络的普及,在这些领域应用广泛的Flash存储器自然也获得了巨大的市场需求。　　 众所周知,快闪存储器具有高集成度、高可靠性的特点,已经成为半导体存储器市场中发展最为迅速迅猛的一员。考虑到最新的电子产品都使用单电源供电,而且电源电源下降已或者低功耗也是如今的潮流,但是Flash存储单元的读取以及编程和擦除操作,都需要足够高的电压来驱动才能实现,所以存储器系统中的高性能的高压电路系统成为影响存储器性能的关键。　　 本论文基于上海中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)两层铝的65nmETOXFlash工艺和标准0.35μmCMOS工艺,设计了一种1Gbit的NORFlash存储器系统。　　 本文首先针对1GNORFlash的芯片操作要求,规划了芯片高压系统,并基于经典的DICKSON电荷泵结构完成了芯片的电荷泵系统设计,具体工作包括:　　 (1)完成了电荷泵电路的关键稳压模块分压电路和比较器电路的设计;　　 (2)实现了芯片高压系统所需的伞部六个电荷泵系统设计,产生四种正高压和一种负高压,用来提供芯片读写操作所需的正负高压。　　 系统仿真结果显示,即使在最坏工作情况下,各种电荷泵系统也能满足输出电压值符合要求,输出电压都能在5us达到预定的稳定电压,输出电压纹波都基本小于200mV,电流驱动能力都强于各自电荷泵系统要求的指标(9.5V,7.5V,5V,4.2V,-9.5V电荷泵系统要求的驱动能力分别为200uA,300uA,400uA,500uA,500uA)。　　 由于整个存储器芯片的读写操作都是由电荷泵输出电压直接进行供电,因而,电荷泵本身的效率对整个芯片的功耗起着至关重要的作用。在考虑之前电荷泵存在问题的基础上,本文提出了一种新型的高效率电荷泵,该电荷泵由Dickson电荷泵衍化而来,与电荷传输单元和LevelShitier电路结合,能够消除所有传输级的阈值电压损失,因而该电荷泵结构能够获得较高的电压和较高的效率。　　 最后,本文对芯片系统的版图,以及高压产生系统和各电路模块的版图设计作了具体介绍。