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声表面波(Surface acoustic wave ,SAW)技术是二十世纪60年代末发展起来的一种新兴的高新技术,它是声学、光学和电子学相结合的一门边缘学科。h-BN属于六方晶系,是一种性能优异,极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料,具有高声波传输速率和优良的光学性能,因此可作为SAW器件中合适的压电薄膜。据此提出“h-BN /Diamond”多层薄膜结构,来优化SAW器件的“压电薄膜/高声速材料”多层膜结构。本文采用的是射频磁控溅射法分别在硅衬底和金刚石衬底上通过改变工艺