新型金属/介电复合等离激元微结构的光透射与光全吸收效应研究

来源 :南京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:delphiall
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
得益于日益发展的纳米科学和技术,各种金属人工微纳结构被设计和制备出来。这些金属结构具有丰富的光电性质,并在表面增强拉曼光谱、集成光路器件、生物传感、数据存储和光学天线等领域展现出了极大的应用前景。与此同时,在国际学术界也催生出了表面等离激元学(Plasmonics)这一覆盖物理、化学、材料、信息和生物科学的交叉学科。论文首先主要介绍金属/介电胶体晶体复合微结构的材料实验制备,研究了其光学增强透射的现象和可见-红外波段的光全吸收效应。论文提出了一种全新的偏振不敏感、宽频、宽角度的电磁波全吸收等离激元体系。这种体系的制备具有操作简单、成本低、样品大面积和高重复性等优点。论文研究发现,通过不同晶体单元参数的选取与混合,可以显著拓宽材料的光吸收谱响应范围。我们的结果为当前人们研究光全吸收提供了一个新的体系、研究对象和高效材料制备方法。论文具体包括以下几个方面:1、利用聚苯乙烯微球自组织构成的二维胶体晶体为模板,采用浅射沉积方法制备金属/介电异质“胶体”晶体(hetero-colloidal crystal)微结构。论文详细研究了这类等离激元(surface plasmon, SP)结构的光学透射特性,这一特性类似人们在金属“渔网”结构中所观测到的增强透射(Enhanced optical transmission, EOT)。论文通过在胶体晶体与其上表面覆盖的金属半球壳之间引入一介电(二氧化硅)层,通过改变介电层的厚度实现了体系光学共振透射特性的有效调控。论文利用有限元方法对这种等离激元晶体进行了数值仿真计算。通过模式的分析,得出此类体系中的共振透射现象主要是缘于局域在金属皱状膜附近的局域类球SP模与局限于介电微球中的光学模的耦合。利用这种金属/介电异质“胶体”晶体结构,我们研究了其在环境折射率变化传感方面的特性,发现相对于没有中间二氧化硅介质层的等离激元体系,含有合适厚度介质层的金属/介电异质“胶体”晶体结构具有更高的敏感度。2、我们通过在平整金属膜层上生长二维胶体晶体,然后再沉积不同厚度金属膜层,得到了新型的金属/介电复合等离激元结构。通过光反射光谱的测量,系统研究其在光吸收方面的特性,论文首次在这类体系中观测到双宽带全吸收效应。研究表明,这种双带光全吸收效应具有偏振、入射角度都不敏感和宽带光吸收的特性。此外,这体系的制备过程具有成本低,技术工艺要求低,以及高重复性的特点。论文接着基于有限元计算方法研究了此种体系的光学性质,计算得到的双宽带全吸收光谱,与实验测试得到的光谱在谱型上相吻合,特别是在长波段,计算给出出一个宽的高吸收带。通过对应的电场强度分布计算,分析得出与此吸收峰相对应的电场强度集中在介质球上覆盖的金属膜层的界面上,电场强度分布与类球SP模的电场分布图一致,而类球SP模是一个宽频的局域SP共振模式;在短波段,计算结果显示存在一个宽带吸收包络:中心波长的电场强度分布显示这一全吸收带是基于局域SP共振模式与介质球阵列的光学模式包括导波(guided mode, GM)模式之间的耦合而形成的。我们发现这种双宽带全吸收效应可以通过调控体系的几何参数,如介质球尺寸大小,介电常数以及金属膜层厚度等来实现多自由度调控。从而可以实现从红外向可见以及其它频段的拓展。3、论文进一步提出并实验证实一种无序体系的超宽带光全吸收等离激元结构。论文通过采用两种尺寸的胶体微球混合,形成一定无序度的单层胶体体系,并将此引入到金属/介电复合表面等离激元光吸收结构中。论文研究这种无序结构对光全吸收特性的影响。研究发现,与采用单一尺寸的胶体球构成的胶体晶体有序体系相比,这种无序结构的引入能够产生更宽波段的高吸收现象。论文还进一步研究了通过配置两种不同尺寸微球在乳液浓度所占的比值,以及改变微球的几何尺寸来调控体系的光吸收特性。论文的初步研究结果为我们继续研究和实现可见光全频段的光全吸收人工微结构等离激元材料奠定了良好的实验基础。
其他文献
<正>银行与科技,是新时代发展背景推动下改革、转型、创新、融合的新型共同体。金融科技的运用,兼顾金融本质与技术驱动,成为银行业转型的重点突破口。近日,在银行业例行新闻
DA36型超高频毫伏表校准器由100kHz震荡器和分压器组成,该电路需要进行定期(6个月)校准。需要一个频率为100kHz波形失真小和输出电压精度为&#177;0.3%的专用信号源,如果输出电压精
分析了传统局域网的工作原理和缺陷,对虚拟局域网(VLAN)技术的特点作了详细介绍,提供了大型企业网中基于ATM局域网仿真技术上的VLAN案例,并根据作者自身工作经验分析了VLAN技术在