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本文对LD泵浦Nd：YAG激光器的原理、光放大理论、半导体激光器的特性进行了分析，研究了一种新型的GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。该器件为双异质结增益导引氧化物条形结构，采用直接耦合的方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体。通过对波长为808nm的GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程，使透射率大大提高。由此得出的高功率半导体功率放大激光器及列阵能代替传统的LD及列阵，可以大大减少管芯的使用数量，提高了器件的耦合效率、输出激光功率和工作寿命。用LD-SLA代替传统的LD泵浦固体激光器有很大的发展前景。