随着科技日新月异的发展以及人们生活水平的不断提高，对于能源的需求也随之增加。能源消耗量的大大增加以及伴随出现的环境污染已经对我们的生活产生了严重的影响。并且对社会的可持续发展造成了严重的威胁。解决能源和环境问题是我们现在面临的重大挑战。光催化技术可以利用太阳能这种绿色能源，将太阳能转化为化学能供给人们使用。利用太阳能光催化制氢和降解污染物得到了广泛的关注，开发出一种简单制取，价格低廉，催化性能好的光催化剂就成为了现在要解决的一个难题。　　光催化剂的研究持续了很长的一段时间，过去的探索中金属氧化物二氧化钛是我们最常使用的，但是二氧化钛光催化剂存在着诸多的缺点限制了其实际应用。与传统光催化剂相比，g-C3N4这种不含金属的半导体材料成为了这个领域研究的重点对象。因其具有良好的可见光响应，制取方式简便，价格低廉，物理和化学性质稳定，较好的热稳定性，绿色环保等优点而备受关注。虽然g-C3N4优点很多，但是也存在着比表面积小，光生载流子的复合率高等不足。针对以上的不足，本文通过高温热聚合以及贵金属沉积的方法对其进行改良。制备出g-C3N4复合半导体材料，提高其光生电子-空穴对的分离效率，从而达到提高光催化制氢等光催化性能。并且利用XRD，SEM，TEM，XPS光催化制氢测试等表征手段对其结构、形貌、性能等进行了探讨。本论文具体内容如下:　　(1)在诸多的前驱体中选取三聚氰胺作为制备g-C3N4的前驱体。通过控制煅烧的温度，观察制备的g-C3N4的晶体结构。利用高温热聚合的方法，同样以三聚氰胺为前驱体制备g-C3N4与二氧化钛在550℃下煅烧，形成复合半导体材料。通过性能测试，我们发现与单一的g-C3N4相比光催化性能有着明显的提高。　　(2)利用一步高温热聚合的方法，简便的合成Ag/g-C3N4-TiO2复合材料。对新制备的半导体进行了特征测试。结果表明，在贵金属银的参与下，产生等离子体共振的效果，有效的抑制了光生载流子的复合。因存在这种机理，通过光催化作用产氢的性能也随之提高。