随着电子产业的发展,各种电子产品在人们的日常生活中发挥越来越大的作用,半导体器件是各种电子产品的重要组成部分。半导体器件的电气性能会影响整个产品的功能,半导体器件的成本会影响电子产品的成本。传统的半导体器件是由以硅为代表的无机半导体材料制成,虽然它具有优异的电子特性,但其价格昂贵,制备工艺复杂;近年来,由有机半导体材料制备的有机半导体器件经历了快速发展,有机半导体器件制备工艺简单、成本低,可以降低电子产品的成本,对有机半导体材料制成的有机半导体器件的研究已经成为热点,并且有机器件已经在显示器驱动等诸多领域成功应用。肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P/N结二极管相比它是一种多子器件,具有正向导通电压低,使用频率高等特点。尽管有机肖特基二极管是一种结构简单的有机半导体器件,但对其研究仍然具有其实际意义,其制备过程中涉及到的欧姆接触、肖特基接触等工艺也是制备其他金/半器件的关键,而且通过对器件的测试得到有关材料的基本电学特性,此外薄膜肖特基二极管还具有光伏特性,是一种最基本的光伏电池。本文提出了一种制备有机薄膜肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺,依次将金属铝、酞菁铜、金属铜镀在玻璃基片上。并且在室温下测试了二极管的电流-电压特性曲线,得到了器件的整流系数,根据实验所得的电容-电压测试结果得到肖特基接触势垒的高度,和材料的载流子浓度,并且对成功制备的具有整流特性的器件进行了光伏特性的测试。