火工品是可以用较小的能量发火并引发燃爆的一种微型的敏感性元件。近年来出现了半导体火工桥、激光点火起爆和MEMS火工品等新型火工品，利用微电子集成技术，使火工品具有逻辑功能，以满足点火能量低、起爆时间短、抗干扰及小型化的要求。其中，半导体火工桥由集成电路工艺技术制备，具有发火能量低、作用快速和安全性好等特点，可以达到火工品的性能指标要求，是发展十分快速的一种新型火工品。半导体火工桥点火机理为，当脉冲电流通过半导体火工桥桥体时，火工桥桥体因受到焦耳热作用而被快速的气化，并且在半导体桥的表面上生成了一层弱离子化的硅气，产生的高温等离子体非常快的渗入到爆炸物颗粒中，把能量传递给爆炸物颗粒，从而爆炸物颗粒引爆火药。所以掺杂质量直接影响半导体火工桥发火性能。因此掺杂是半导体火工桥制备中最重要的工序。本论文的研究工作是围绕半导体火工桥薄膜及扩磷工艺研究开展的，是企业委托预研项目。论文首先介绍了半导体火工桥的基本结构、发火原理及国内外研究进展；然后介绍了半导体火工桥光刻工艺流程，并对光刻工艺中影响光刻质量的因素进行介绍分析。接下来介绍了干氧湿氧交替法在晶向（100）的单晶硅衬底制备了SiO2薄膜工艺，其作用是减少火工桥发火时热量损耗；并且利用低压化学气相沉积法在SiO2薄膜上制备了多晶硅薄膜，并用X射线衍射仪、原子力显微镜、台阶仪和半导体特性测试仪，对多晶硅薄膜结晶度、表面形貌、薄膜厚度和电学特性进行测试分析；然后介绍了化学气相沉积（CVD）扩磷工艺及流程，并对单晶硅基底和多晶硅薄膜进行扩磷；用原子力显微镜、半导体特性测试仪等设备对扩磷基底进行表面形貌、电学特性测试和分析；用X射线光电子能谱分析（XPS）对单晶硅基底进行元素定性定量分析。分析的结果表明CVD扩磷工艺的扩磷温度和扩磷时间对单晶硅基底和多晶硅薄膜的表面形貌以及电学特性都有影响。论文最后还对研究工作进行了总结和展望。