大功率的肖特基二极管广泛地应用于功率转换电路中，长期以来，人们一直使用Si基肖特基二极管，但是现有的Si基功率器件已经接近其理论极限，为了进一步提高效率和功率密度，人们开始将目光投向宽禁带半导体材料，例如GaN，SiC材料。AlGaN/GaN肖特基二极管利用AlGaN/GaN HEMT现有的研究成果，成为GaN基肖特基二极管研究热点。但是随着研究的深入，其弱点也逐渐暴露出来，而这些弱点与器件的结构与制备工艺紧密相关。本文首先对AlGaN/GaN肖特基二极管进行了电学测试，考虑了多种不同的电流输运机理后，对与温度有关的电流-电压特性进行了分析。通过拟合从总电流中提取出纯热电子发射电流，计算出更为准确的势垒高度值，约为(1.43~1.47)eV，势垒高度随温度升高有轻微地降低。结果表明采用传统方法将总电流等效为热电子发射电流所计算出来的势垒高度(1.05~1.37)eV很明显低了很多。并粗略计算了与隧穿电流有关的缺陷的浓度。然后分析了肖特基接触尺寸对AlGaN/GaN肖特基二极管电学特性的影响，主要表现在两个方面，一是肖特基阳极边缘正向电流集边效应，二是2DEG电子面密度随面积增大而减小。为了改善AlGaN/GaN肖特基二极管反向阻断特性，提高器件的击穿电压，本文最后利用ATLAS器件仿真软件对具有浮动金属环结构的AlGaN/GaN肖特基二极管的击穿特性进行了研究。分析了器件结构参数与耗尽层电场的关系。最后设计器件的版图和主要的工艺流程。