在全定制电路设计中,半导体制造商通过工艺开发包与电路设计工程师交流。伴随电路设计日益复杂,工艺开发包的设计难度也日益增加。在当今市场中工艺开发包的设计方法相对封闭,设计流程固化已久。测试芯片作为减少开发时间、提升成品率的重要途径,常用方法为提取工艺器件参数,评估工艺设备性能,制定版图设计规则,检测工艺缺陷以及评估产品可靠性等。伴随工艺水平的复杂程度提升,测试芯片的需求也随之增加。同时,由于应用于工艺开发包的测试芯片能在一定面积的晶圆上对大量的测试结构进行测量,已成为当前制造工艺领域研究热点。本文在研究了工艺开发包的设计方法基础上,针对核心组成部分参数化单元,提出了一种新的图形化的基于SKILL脚本的设计方法。这种方法设计的参数化单元具有高效性,能够大批量地被实例化,并能与业界主流设计方法融合,从而缩短了工艺开发包测试芯片设计周期。利用此方法设计的高测量精度、高面积利用率的测试芯片,已经成功应用于国内某代工厂基于四十纳米工艺节点的工艺开发包测试芯片,整个开发流程验证了此设计方法的高效性与准确性。