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Sb2Se3薄膜一般为P型半导体薄膜,禁带宽度大约为1.0-1.2eV,吸收系数约为105 cm-1,具有绿色低毒,储量丰富,价格低廉的特点,是近年来新兴的热点材料,在光电探测、太阳能电池方面存在广泛的研究。然而,Sb2Se3材料在光电位置探测和信息存储方面的研究却少有报道。本论文通过脉冲激光沉积技术在Si基底上生长一层纳米级别的Sb2Se3薄膜,研究了该结构中存在的侧向光伏效应和光诱导电致阻变效应,探索了Sb2Se3材料在多功能光电器件的应用前景。主要研究内容如下:首先,利用脉冲激光沉积系统在P型硅上生长一层54nm厚的Sb2Se3薄膜,通过对Sb2Se3薄膜进行XRD、Raman、XPS、SEM一系列表征,确认得到了纯相的Sb2Se3多晶薄膜。其次,利用脉冲激光沉积系统分别在不同类型Si基片上生长Sb2Se3薄膜,并在Sb2Se3薄膜的表面点上两个间距为2mm的铟电极,构成侧向光伏测试样品。由于在不同类型Si与Sb2Se3薄膜界面处均存在由Sb2Se3薄膜指向Si基底的内建电场,激光照射样品时会使得光生电子注入到Sb2Se3薄膜中并在侧向形成电子浓度的非均匀分布,进而在薄膜表面测得侧向光伏现象。在P型硅样品中,由于光生电子浓度高,扩散长度短,导致P型硅样品中的侧向光伏输出灵敏度最高,时间分辨能力最强。再次,通过在P型Si基底上生长了不同厚度的Sb2Se3薄膜,发现存在一个最优Sb2Se3薄膜厚度使得P型Si/Sb2Se3结构中的侧向光伏灵敏度最高,而当Sb2Se3薄膜增厚或者变薄都将使样品的侧向光伏灵敏度降低。通过研究不同电极间距对P型Si/Sb2Se3结构中的侧向光伏效应的影响,发现电极的间距越大,侧向光伏的灵敏度越小。最后,研究了激光能量对Sb2Se3/Si异质结构输运性质的影响,发现在高激光能量作用下,异质结发生了光诱导电致阻变现象。这是由于薄膜生长过程中产生了少量Se空位,在光照和高电压的共同作用下使异质结产生了阻变。