光辅助的表面电荷转移掺杂Ti-O薄膜及其血液相容性研究

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尽管Ti-O薄膜作为心血管支架表面覆膜的首选材料,但其血液相容性仍不能达到临床应用的理想效果,其关键在于作为半导体材料的Ti-O薄膜表面不可避免地存在表面态、局域态等缺陷态。这些非占有态会接收来自血液中纤维蛋白原的电荷转移,导致血小板被激活,从而引发凝血。本论文采用光辅助的表面电荷转移掺杂(Light enhanced surface charge transfer doping,LESCTD)的方法,利用具有光生电荷性质的聚多巴胺,对非平衡磁控溅射(UBMS)系统制备的Ti-O薄膜进行表面电荷转移掺杂,借助紫外光照的作用实现电子从聚多巴胺向Ti-O薄膜表面的转移,从而达到调控其表面能级能态和复合缺陷态的目的。采用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、X射线晶体衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、接触角测试仪等对Ti-O薄膜成分、结构、表面能等性能进行表征;应用循环伏安(CV)、电化学阻抗(EIS)、莫特-肖特基(Mott-Schottky)测量薄膜表面电化学行为,通过血小板粘附、溶血率、部分凝血活酶时间(APTT)、纤维蛋白原吸附等检测方法对处理前后的薄膜进行了系统的体外血液相容性评价。对比了未经过紫外光照处理(SCTD)和经过紫外光照处理(LESCTD)的Ti-O薄膜的血液相容性。总结出光辅助的表面电荷转移掺杂的机理和规律,获得的主要结论如下:阻抗(EIS)图谱结果表明,光辅助的表面电荷转移n-型掺杂Ti-O薄膜的方式增大了 Ti-O薄膜表面的阻抗,电子寿命延长、电子转移阻力增大;莫特-肖特基(Mott-Schottky)图谱表明,经过光辅助的表面电荷转移n-型掺杂的Ti-O薄膜其空间电荷层的载流子浓度增大,平能带电位负移,表面更趋向于溢出电子。血液相容性结果表明,光辅助的表面电荷转移n-型掺杂Ti-O薄膜的方法使其表面粘附的血小板的数量减少,激活程度降低;溶血率有所下降;表面纤维蛋白原的吸附数量减少,材料抗凝血性能增加。
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