【摘 要】
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随着集成电路工艺的发展，在数模混合及模拟集成电路中，设计芯片内部基准电源以及开发单片基准源已成为各个国际模拟电路公司的重点。本文详细分析了基准源芯片的工作原理以及如何提高温度稳定性的方法，同时基于两种不同的高阶温度补偿思想，设计了一种电压基准源和一种电流基准源，这两种基准源电路分别采用0.6μm BCD工艺和标准0.5μm CMOS工艺。所设计的电压基准源和电流基准源的输入电压范围均为1.8V～5
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随着集成电路工艺的发展，在数模混合及模拟集成电路中，设计芯片内部基准电源以及开发单片基准源已成为各个国际模拟电路公司的重点。本文详细分析了基准源芯片的工作原理以及如何提高温度稳定性的方法，同时基于两种不同的高阶温度补偿思想，设计了一种电压基准源和一种电流基准源，这两种基准源电路分别采用0.6μm BCD工艺和标准0.5μm CMOS工艺。所设计的电压基准源和电流基准源的输入电压范围均为1.8V～5.5V，温度系数在-10℃～+150℃的温度范围内分别为5.9 ppm／℃和0.7 p
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